Imagen destacada del aparato experimental de efecto magnetoresistivo LEEM-8

Aparato experimental LEEM-8 para el estudio del efecto magnetorresistivo

Breve descripción:

Nota: el osciloscopio no está incluido.

El dispositivo presenta una estructura sencilla y un contenido muy completo. Utiliza dos tipos de sensores: un sensor Hall de GaAs para medir la intensidad de la inducción magnética y un sensor de magnetorresistencia de InSb para estudiar la resistencia bajo diferentes intensidades de inducción magnética. Los estudiantes pueden observar el efecto Hall y el efecto de magnetorresistencia del semiconductor, que se caracterizan mediante experimentos de investigación y diseño.

Envíanos un correo electrónico

Detalles del producto

Etiquetas de producto

Experimentos

1. Estudie el cambio de resistencia de un sensor de InSb en función de la intensidad del campo magnético aplicado; encuentre la fórmula empírica.

2. Graficar la resistencia del sensor InSb en función de la intensidad del campo magnético.

3. Estudiar las características de CA de un sensor de InSb bajo un campo magnético débil (efecto de duplicación de frecuencia).

Presupuesto

Descripción	Presupuesto
Fuente de alimentación del sensor magnetorresistivo	Ajustable de 0 a 3 mA
Voltímetro digital	Rango 0-1,999 V, resolución 1 mV
militeslámetro digital	Rango de 0 a 199,9 mT, resolución de 0,1 mT.