Aparato experimental de efecto magnetorresistivo LEEM-8

Descripción breve:

Nota: osciloscopio no incluido

El dispositivo tiene una estructura simple y un amplio contenido. Utiliza dos tipos de sensores: un sensor Hall de GaAs para medir la intensidad de la inducción magnética y un sensor de magnetorresistencia de InSb para estudiar la resistencia bajo diferentes intensidades de inducción magnética. Los estudiantes pueden observar el efecto Hall y el efecto magnetorresistencia de los semiconductores, caracterizados mediante experimentos de investigación y diseño.

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Experimentos

1. Estudie el cambio de resistencia de un sensor InSb frente a la intensidad del campo magnético aplicado; encuentre la fórmula empírica.

2. Grafique la resistencia del sensor InSb frente a la intensidad del campo magnético.

3. Estudiar las características de CA de un sensor InSb bajo un campo magnético débil (efecto de duplicación de frecuencia).

Presupuesto

Descripción	Presupuesto
Fuente de alimentación del sensor de magnetorresistencia	0-3 mA ajustable
Voltímetro digital	rango 0-1,999 V resolución 1 mV
Mili-teslámetro digital	rango 0-199,9 mT, resolución 0,1 mT