Aparato experimental de efecto magnetorresistivo LEEM-8

Breve descripción:

Nota: osciloscopio no incluido

El dispositivo es simple en estructura y rico en contenido.Utiliza dos tipos de sensores: sensor GaAs Hall para medir la intensidad de inducción magnética y para estudiar la resistencia del sensor de magnetorresistencia InSb bajo diferentes intensidades de inducción magnética.Los estudiantes pueden observar el efecto Hall y el efecto de magnetorresistencia de los semiconductores, que se caracterizan por experimentos de investigación y diseño.

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Experimentos

1. Estudie el cambio de resistencia de un sensor InSb frente a la intensidad del campo magnético aplicado;encontrar la fórmula empírica.

2. Trazar la resistencia del sensor InSb frente a la intensidad del campo magnético.

3. Estudie las características de CA de un sensor InSb bajo un campo magnético débil (efecto de duplicación de frecuencia).

Especificaciones

Descripción	Especificaciones
Fuente de alimentación del sensor de magnetorresistencia	0-3mA ajustable
voltímetro digital	rango 0-1.999 V resolución 1 mV
Mili-Teslametro digital	rango 0-199,9 mT, resolución 0,1 mT