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Aparato experimental de efecto magnetorresistivo LEEM-8

Breve descripción:


Detalle del producto

Etiquetas de productos

Nota: osciloscopio no incluido

El dispositivo es simple en estructura y rico en contenido. Utiliza dos tipos de sensores: sensor Hall GaAs para medir la intensidad de inducción magnética y para estudiar la resistencia del sensor de magnetorresistencia InSb bajo diferente intensidad de inducción magnética. Los estudiantes pueden observar el efecto Hall y el efecto de magnetorresistencia de los semiconductores, que se caracterizan por la investigación y los experimentos de diseño.

Experimentos

1. Estudie el cambio de resistencia de un sensor InSb frente a la intensidad del campo magnético aplicado; encuentra la fórmula empírica.

2. Grafique la resistencia del sensor InSb frente a la intensidad del campo magnético.

3. Estudie las características de CA de un sensor InSb bajo un campo magnético débil (efecto de duplicación de frecuencia).

 

Especificaciones

Descripción Especificaciones
Fuente de alimentación del sensor de magnetorresistencia 0-3 mA ajustable
Voltímetro digital rango 0-1,999 V resolución 1 mV
Mili-teslametro digital rango 0-199,9 mT, resolución 0,1 mT

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