Aparato experimental de efecto magnetorresistivo LEEM-8

Nota: osciloscopio no incluido

El dispositivo es simple en estructura y rico en contenido. Utiliza dos tipos de sensores: sensor Hall GaAs para medir la intensidad de inducción magnética y para estudiar la resistencia del sensor de magnetorresistencia InSb bajo diferente intensidad de inducción magnética. Los estudiantes pueden observar el efecto Hall y el efecto de magnetorresistencia de los semiconductores, que se caracterizan por la investigación y los experimentos de diseño.

Experimentos

1. Estudie el cambio de resistencia de un sensor InSb frente a la intensidad del campo magnético aplicado; encuentra la fórmula empírica.

2. Grafique la resistencia del sensor InSb frente a la intensidad del campo magnético.

3. Estudie las características de CA de un sensor InSb bajo un campo magnético débil (efecto de duplicación de frecuencia).

Especificaciones