Demostrador de láser de estado sólido bombeado por diodo LPT-7
Especificaciones
Láser semiconductor | |
Potencia de salida CW | ≤ 500 mW |
Polarización | TE |
Longitud de onda central | 808 ± 10 nm |
Rango de temperatura de operación | 10 ~ 40°C |
Corriente de conducción | 0 ~ 500mA |
Nd: YVO4Cristal | |
Concentración de dopaje Nd | 0,1 ~ 3 atm% |
Dimensión | 3×3×1mm |
Llanura | < λ/10 a 632,8 nm |
Revestimiento | AR@1064 nm, R<0,1%;808=”" t=”">90% |
Cristal KTP | |
Rango de longitud de onda transmisiva | 0,35 ~ 4,5 micras |
Coeficiente electro-óptico | r33=36 pm/V |
Dimensión | 2×2×5mm |
Espejo de salida | |
Diámetro | Φ 6 mm |
Radio de curvatura | 50mm |
Láser de alineación He-Ne | ≤ 1 mW a 632,8 nm |
Tarjeta de visualización IR | Rango de respuesta espectral: 0,7 ~ 1,6 µm |
Gafas de seguridad láser | DO= 4+ para 808 nm y 1064 nm |
Medidor de potencia óptica | 2 μW ~ 200 mW, 6 escalas |
LISTA DE PARTES
No. | Descripción | Parámetro | Cantidad |
1 | Riel óptico | con base y cubierta antipolvo, la fuente de alimentación del láser He-Ne está instalada dentro de la base | 1 |
2 | Soporte láser He-Ne | con portador | 1 |
3 | Apertura de alineación | Orificio de f1 mmcon soporte | 1 |
4 | Filtrar | Apertura de f10 mmcon soporte | 1 |
5 | Espejo de salida | BK7, f6 mm R =50 mmcon soporte ajustable de 4 ejes y soporte | 1 |
6 | Cristal KTP | 2×2×5 mmcon soporte ajustable de 2 ejes y transportador | 1 |
7 | Nd:YVO4 Cristal | 3×3×1 mmcon soporte ajustable de 2 ejes y transportador | 1 |
8 | 808nm LD (diodo láser) | ≤ 500 mW con soporte y transportador ajustables en 4 ejes | 1 |
9 | Titular de la cabeza del detector | con portador | 1 |
10 | Tarjeta de visualización infrarroja | 750 ~1600 nanómetro | 1 |
11 | Tubo láser He-Ne | 1.5mW@632.8 nm | 1 |
12 | Medidor de potencia óptica | 2 μW~200 mW (6 rangos) | 1 |
13 | Cabeza detectora | con portada y poste | 1 |
14 | Controlador de corriente LD | 0 ~ 500mA | 1 |
15 | Cable de alimentación | 3 | |
16 | Manual de instrucciones | V1.0 | 1 |
Escribe aquí tu mensaje y envíanoslo