Aparato LPT-10 para medición de propiedades de láser semiconductor
Experimentos
1. Mida la distribución de campo lejano del haz y calcule sus ángulos divergentes vertical y horizontal.
2. Mida las características de tensión-corriente.
3. Mida la relación entre la potencia óptica de salida y la corriente, y adquiera su corriente de umbral.
4. Mida la relación entre la salida de potencia óptica y la corriente a diferentes temperaturas y analice sus características de temperatura.
5. Mida las características de polarización del haz de luz de salida y calcule su relación de polarización.
6. Experimento opcional: verificar la ley de Malus.
Especificaciones
Artículo | Especificaciones |
Láser semiconductor | Potencia de salida < 2 mW |
Longitud de onda central: 650 nm | |
Fuente de alimentación deLáser semiconductor | 0 ~ 4 VDC (continuamente ajustable), resolución 0,01 V |
detector de fotos | Detector de silicio, apertura de entrada de luz 2 mm |
Sensor de ángulo | Rango de medición 0 – 180°, resolución 0,1° |
polarizador | Apertura 20 mm, ángulo de rotación 0 – 360°, resolución 1° |
Luz de pantalla | Tamaño 150 mm × 100 mm |
Voltímetro | Rango de medición 0 – 20,00 V, resolución 0,01 V |
Medidor de potencia láser | 2 µW ~ 2 mW, 4 escalas |
Controlador de temperatura | Rango de control: desde temperatura ambiente hasta 80 °C, resolución 0,1 °C |
Lista de
Descripción | Cantidad |
Maleta principal | 1 |
Soporte láser y dispositivo sensor de ángulo | 1 juego |
láser semiconductor | 1 |
Carril de deslizamiento | 1 |
Deslizar | 3 |
polarizador | 2 |
pantalla blanca | 1 |
Soporte de pantalla blanca | 1 |
detector de fotos | 1 |
cable de 3 hilos | 3 |
cable de 5 hilos | 1 |
Cable de conexión rojo (2 cortos, 1 largo) | 3 |
Cable de conexión negro (tamaño mediano) | 1 |
Cable de conexión negro (tamaño grande, 1 corto, 1 largo) | 2 |
Cable de alimentación | 1 |
Manual de instrucciones | 1 |
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